mosfet怎么关断-mos 关断

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本文目录一览：

• 1、SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点
• 2、如何加快MOSFET关断
• 3、功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现,怎样实现?

SCR.GTO.GTR功率MO***ET。IGBT的各自优缺点

1、IGBT（绝缘栅双极晶体管）它综合了GTR和mo***et的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

2、MO***ET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MO***ET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。

3、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多***用专用的混合集成驱动器。

4、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MO***ET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

5、常用电力电子器件的优缺点如下所述。GTR优点：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强．饱和压降低；缺点：开关速度低，是电流驱动型，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。

6、- GTO：关断能力，双向可控，适用于大功率交流开关。- GTR：类似于 GTO，通常用于整流电路。- MO***ET：高输入阻抗，适用于高频应用，但功率密度相对较低。

如何加快MO***ET关断

很简单，开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻，减小驱动电阻就可以增加打开速度，如果没有驱动电阻的话就得更换MO***ET了，选择Cgs小的，打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

功率mo***et 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mo***et的开通，关断，给GS极之间加正向电压（高电平），达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压（低电平）mo***et就能关断。

mo***et关断。mos管关断电阻。mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。

如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

缩短电缆长度。在设计mos管线路时，应尽量减少变频器与电动机之间电缆的长度，mos管关断电压可以通过缩短电缆长度来降低两者之间的暂态波过程的振荡周期，以此来降低电动机两端的过电压。

功率MO***ET怎样关断?能否用PWM实现,怎样实现?

mos管的栅极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。

分开说，30分钟定时开关，这个可以通过写程序实现，程序定时控制一个IO，比如说P0，30分钟P0输出一个高电平，30分钟后再变为低电平。

把mos管的DS串联到回路中，常态给mos管的GS间一个+10V的电压，然后在比较同相端设定一个限定电压，在反相端输入***样信号，当***样的信号超过这个限定电压时比较器输出一个0电平把GS的电压拉低，使MOS管关断。

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